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62 mm 1700V 半桥 IGBT 模块, 采用第四代快速沟槽/场终止 IGBT 和发射极控制二极管，是您设计工作的不二之选。
特征描述
- 400A / 1700V
- Tvj op = 150°C
- 符合 RoHS
- 4 kV 交流 1 分钟绝缘
- 封装的 CTI > 400
- 高爬电距离和电气间隙
- 通过 UL/CSA 的 UL1557 E83336 认证
优势
- 现有封装具有更高的电流能力，允许在相同的框架尺寸下增加逆变器输出功率
- 极高的功率密度
- 灵活性
- 出色的电气性能
- 高可靠性
好评度