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FP25R12W1T7_B11

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产品编号：FP25R12W1T7_B11

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  • 货号：ECS018513制造商：Infineon Technologies
    制造商编号：FP25R12W1T7_B11供应商：
    描述：1200 V 25 A PIM IGBT模块原厂交期：
    详情描述：是1200 V、25 A 基于EasyPIM™ 1B封装的集成三相整流与逆变单元PIM（功率集成模块） IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、第七代发射极控制二极管和PressFIT压接技术,模块内集成有NTC。

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是1200 V、25 A  基于EasyPIM™ 1B封装的集成三相整流与逆变单元PIM（功率集成模块） IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、第七代发射极控制二极管和PressFIT压接技术,模块内集成有NTC。

特征描述

  • 低通态电压VCE（sat）和Vf
  • 过载时Tvj op=175°C 
  • 增强dv/dt可控性
  • 基于dv/dt = 5kV/µs，优化开关损耗
  • 8 μs短路耐受能力
  • 改善续流二极管的软度

优势

  • 与上代产品相比，相同电流规格使用更小的功率模块封装，功率密度得到提高
  • 低损耗，符合高能效要求
  • 实现损耗与EMI之间的最佳平衡
  • 降低系统成本





规格参数

产品名称 : FP25R12W1T7_B11
产品品牌 : infineon/英飞凌
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